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2009

关于聚焦离子束（FIB）技术在芯片设计及加工过程中的应用研讨会通知

作者：

天津市集成电路行业协会、天津市集成电路设计中心、天津大学ASIC设计中心、瑞纳科技(北京)有限公司联合于2008年5月18日下午2:00在天津大学综合实验楼8层会议室举办“聚焦离子束（FIB）技术在芯片设计及加工过程中的应用”研讨会。有感兴趣，愿意参加的企业请于本周五中午前将参加人员的姓名及相应的联系方式填入报名表中，详细内容请见相关附件。

研讨会时间:2009年5月18日下午2：00开始

地点：天津大学综合实验楼8层会议室

天津市集成电路行业协会

天津市集成电路设计中心

2009年5月5日

聚焦离子束（FIB）技术在芯片设计及加工过程中的应用

FIB技术介绍

FIB(聚焦离子束)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍

FIB应用项目

l IC芯片电路修改

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。

FIB还能在较终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

l Cross-Section 截面分析

用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

l Probing Pad

在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或 E-beam 直接观测IC内部信号。

l FIB透射电镜样品制备

这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

关键应用技术

l 微观尺寸IC 芯片修改以纠正设计错误

l 更正铜线工艺及铝线工艺的连线错误

l 分离芯片不同模块以便纠错

l 连接额外电阻，电容调试优化芯片功能

l 增加探测触点，以便分析出错原因

l 材料及器件失效分析

l 扫描电镜和透射电镜样品制备

l 材料和器件截面及截面二次电子像

关键FIB服务技术

l 系统维修

l 技术改进和升级换代