XPJ(中国)

16

2014

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06

中芯28、40纳米双剑并击 联电全力对战

作者：

　　在台积电于28/20纳米制程世代获得压倒性胜出后，一线晶圆代工大厂之间的战火重要已转移到16/14纳米FinFET制程，至于二线晶圆代工厂联电和中芯*之间的战局同样火热上演，近期双方战局已从40纳米制程开始蔓延到28纳米，面对中芯大力猛攻，联电展开多方面防堵。
　　
　　晶圆代工产能吃紧问题蔓延，尤其联电28纳米制程良率提升后，开始排挤到既有40纳米产能，遂决定在新加坡厂启动扩产计画，不仅为满足客户需求，更要防堵中芯频以40纳米制程抢市，以及2014年底启动28纳米抢单，联电内部开始通盘检视制程及产能配置，对战中芯一役势在必得。
　　
　　近期联电在28纳米制程获得突破，不但良率提升吸引关键客户联发科、高通(Qualcomm)回头下单，更传出受惠于GlobalFoundries28纳米制程不顺，导致客户转向联电，然联电28纳米订单增加，却排挤到旗下热门的40纳米产能配置，为此联电已规划新加坡厂扩产40纳米制程，*阶段产能约1.0万~1.5万片。
　　
　　不过，中芯规划在2014年底28纳米制程将贡献营收，届时对于联电又会是一大压力，尤其28纳米较大客户之一高通传出为抢攻大陆市场，将策略性对中芯28纳米下单，在高通此一指标性客户推助下，等于是帮中芯的先进制程背书。
　　
　　半导体业者指出，联电特别重视40纳米制程不失守，是因为中芯切入40纳米制程后猛抢市占率，且40纳米制程不论在技术、产能、客户等面向，都是28纳米的前哨站，还未参加28纳米赛局的晶圆代工厂，要先闯关40纳米世代。
　　
　　联电认为，中芯的优势并非在制程技术，而是具有大陆市场独特的战略地位，联电因应之道是藉由和舰厂强化在大陆竞争力，目前和舰8吋厂产能处于满载，开始规划扩产，单月产能规模从4.4万片增至4.8万~5.0万片。
　　
　　目前联电也在评估在海外扩厂，大陆地区是一个选项，若是针对12吋晶圆厂倾向于建厂，但亦在寻找8吋晶圆产能，且倾向以购并方式取得。联电之前传出将在厦门设立新12吋厂，但碍于政府对于半导体制程技术西进限制，仍在等待进度突破。另外，联电亦传出评估要买马来西亚8吋晶圆代工厂Silterra。
　　
　　360°：联电和中芯之争
　　
　　联电28纳米制程在2014年终于取得突破，其营收贡献度超过1%；目前联电已设下2014年底达5%营收的目标。除了28纳米之外，联电也极力扩充40纳米制程的产能，预计在新加坡12吋晶圆厂再扩增1万~1.5万片的月产能，2014年28纳米则是保留约1.5万片产能可供使用。
　　
　　中芯*在先进制程上追赶快速，主要是依靠40纳米制程抢市占率，同时公司也预计年底会有28纳米制程的营收。市场认为，高通(Qualcomm)为了策略性布局大陆市场，等到中芯*28纳米制程良率成熟，会把部分原本在台积电投片的订单转单过去。
　　
　　联电目前在经济规模上仍远胜中芯*，但中芯*在营运转亏为盈后气势大增，又正好遇上大陆半导体产业政策要大幅补助的时间点。虽然大陆的半导体产业政策将优先扶植IC设计产业，但之后就是晶圆代工产业受惠，而中芯身为大陆的晶圆代工指标性公司，预计也是优先获得利益。